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Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC (M471A5244CB0-CWE)

Samsung
Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC
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Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECCSamsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC
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Artikel-Nr.: 
999209822
Hersteller-Nr.: 
M471A5244CB0-CWE
GTIN:  0850001401784

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Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC

Produktbeschreibung:

Merkmale RAM-Speicher 4 GB Speicherlayout (Module
x Größe) 1 x 4 GB Interner Speichertyp DDR4 Speichertaktfrequenz
3200 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor
260-pin SO-DIMM ECC Ja Speicherspannung 1,2 V
Modulkonfiguration 512M x 16

Technische Details:

Allgemein
Kapazität
4 GB
Erweiterungstyp
Generisch
Arbeitsspeicher
Typ
DRAM Speichermodul
Technologie
DDR4 SDRAM
Formfaktor
SO DIMM 260-PIN
Geschwindigkeit
3200 MHz (PC4-25600)
Datenintegritätsprüfung
Non-ECC
Besonderheiten
Single Rank, ungepuffert
Modulkonfiguration
512 x 64
Chip-Organisation
512 x 16
Spannung
1.2 V
Informationen zur Kompatibilität
Entwickelt für
Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A

Technische Daten

Produktbeschreibung:Samsung - DDR4 - Modul - 4 GB - SO DIMM 260-PIN - 3200 MHz / PC4-25600 - ungepuffert
Produkttyp:Speichermodul
Kapazität:4 GB
Speichertyp:DDR4 SDRAM - SO DIMM 260-PIN
Erweiterungstyp:Generisch
Datenintegritätsprüfung:Non-ECC
Geschwindigkeit:3200 MHz (PC4-25600)
Leistungsmerkmale:Single Rank, ungepuffert
Spannung:1.2 V
Entwickelt für:Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3; Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A

Dieses Produkt haben wir am Montag, 25. Januar 2021 in unseren Katalog aufgenommen.

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Am Kronberger Hang 6
65824 Schwalbach / Ts.
Deutschland

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