Samsung DDR4 Modul 4 GB SO DIMM 260-PIN 3200 MHz / PC4-25600 1.2 V ungepuffert non-ECC
Produktbeschreibung:
Merkmale RAM-Speicher 4 GB Speicherlayout (Module x Größe) 1 x 4 GB Interner Speichertyp DDR4 Speichertaktfrequenz 3200 MHz Komponente für Notebook Memory Formfaktor 260-pin SO-DIMM ECC Ja Speicherspannung 1,2 V Modulkonfiguration 512M x 16
Technische Details:
Allgemein Arbeitsspeicher Formfaktor SO DIMM 260-PIN Geschwindigkeit 3200 MHz (PC4-25600) Datenintegritätsprüfung Non-ECC Besonderheiten Single Rank, ungepuffert Modulkonfiguration 512 x 64 Chip-Organisation 512 x 16 Informationen zur Kompatibilität Entwickelt für Intel Next Unit of Computing 11 Essential Kit - NUC11ATKPE, 12 Pro Kit - NUC12WSHi3 ¦ Wortmann TERRA Mobile 1516A, 1716A
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